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  • * *势 公司灵活 可配合任相关问题！ 特性 正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

    这个不能使二**管导通的正向电压称为死区电压。

    当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二**管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

    在正常使用的电流范围内，导通时二**管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二**管的正向电压。

    当二**管两端的正向电压超过一定数值    ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二**管正向导通。

       叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。

    硅二**管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二**管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

    反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二**管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。

    由于反向电流很小，二**管处于截止状态。

    这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二**管的反向饱和电流受温度影响很大。

    一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。

    温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

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